【赛迪网讯】10月30日消息，据国外媒体报道， IBM近日表示，该公司位于美国纽约州约克城高地(Yorktown Heights)的IBM TJ沃森研究中心科学家们已在碳纳米芯片研究方面取得重大进展。科学家们将碳纳米管安装到一块硅片上，以创造出一块有1万个晶体管工作的混合芯片。而这一数字是传统硅晶体管数量上限的100倍左右。 据悉，碳纳米晶体管除了体积小之外，导电性能也很优越。在该技术下生产出来的芯片性能将获得巨大的提升。不过，由于该技术尚未成熟，预计至少十年之后才能用于商业生产。 在芯片领域，近些年来研究者们越来越担忧“摩尔定理（一块芯片上工作的晶体管数量每12至18个月能翻倍）失效的时间可能会提早”。IBM表示，这是一项重大的研究突破，值得为之兴奋。过去50年以来在芯片研究领域硅一直是基础材料，虽然其存在着不足，但截至目前科学家们仍然尚未找到一个好的解决方案，而科学家们预期碳纳米可使芯片制造商能够生产出“开关速度比硅类成分快很多”的更小晶体管。 IBM研究中心负责太阳能发电技术的苏普拉蒂克-古哈(Supratik Guha)表示，其研究小组认为碳纳米产品的表现会超过通过其他任何材料转变而生产出来的产品。在总体时钟频率 （clock speed ）方面，近些年来从整体来看处理器行业已处于“撞墙停滞”状态，这迫使该行业转变方向而生产多核处理器，以帮助处理工作载荷而不是继续提高时钟频率。科学家们预计一旦该项新技术能够在本世纪末用于实际中，那么未来的处理器的时钟频率将会比现在高出很多。