世界正处在数据大爆炸时代，人们亟待高密度、高速度、长寿命的新一代存储器救急。上海承担国家科技重大专项、国家纳米重大研究计划等项目，牵头研发新一代存储器，已公开约300项海内外专利，填补了我国自主存储器长期空白，并与国际前沿实现同步。这是昨天举办的“第11届IEEE非易失性存储器国际研讨会”上透露的。

　　存储器是消费型电子产品的必备单元，这些小小器件每年全球范围销售额达600亿美元，但因技术密集且门槛高，市场主要被三星、海力士等5家企业垄断。中国作为多种电子产品的世界最大生产国，每年消耗存储器件占全球三分之一，但此前一直未实现存储器国产。而日韩两国则通过实施国家战略，分别于上世纪80年代和90年代自主掌握存储器技术，也使全球存储器产业重心从美国移至日本，进而移至韩国。

　　从2002年起，中科院上海微系统所在现行存储技术之外，及时攻关下一代存储器，并承接我国“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”、“973计划”等相关任务。目前，微系统所与中芯国际、微芯等企业组建百余人产学研团队，成功研发出不同于传统存储机制的“相变存储器”。项目负责人宋志棠研究员介绍，目前有能力生产“相变存储器”的全球厂商仅少数几家，并且刚刚实现量产。据悉，微系统所在相关材料、器件、工艺等环节布局专利达300项左右，其中80多项已获授权，为产业化和国际化打下良好的基础。

　　据了解，相变存储器比起当今主流产品具有多种优势，有望同时替代公众熟知的两大类存储技术，如应用于U盘的可断电存储的闪存技术，又如应用于电脑内存的不断电存储的DRAM技术。在存储密度方面，目前主流存储器在20多纳米的技术节点上出现极限，无法进一步紧凑集成；而相变存储器可达5纳米量级。在存储速度方面，相变存储器的存储单元比闪存快100倍，使用寿命也达百倍以上。（记者 徐瑞哲）